微电子工业全球标准
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标题 | 文档# | 日期 |
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测量直流应力下n沟道mosfet热载子诱导退化的程序 |
JESD28-A | 2001年12月 |
本文档描述了使用直流偏置测量单个n沟道MOSFET的热载流子诱导退化的加速测试。本文件的目的是指定一组最小的测量,以便在不同的技术、集成电路工艺和工艺变化之间以一种简单、一致和可控的方式进行有效的比较。指定的测量应被视为晶体管制造工艺表征和基准测试的起点。 委员会(s):jc - 14.2 |
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测量直流应力下最大栅极电流下p沟道最场效应热载流子诱导退化的程序 |
JESD60A | 2004年9月 |
本方法建立了加速测试p沟道MOSFET热载子诱导变化的标准程序。目的是提供一组最小的测量值,以便在不同的技术之间进行准确的比较。指定的测量应被视为晶体管制造过程的表征和基准测试的开始。 委员会(s):jc - 14.2 |