微电子工业全球标准
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标题 | 文档# | 日期 |
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注册-薄矩阵托盘先进的内存缓冲区。11.5项目-736。 |
有限公司- 035 a | 2006年3月 |
为ddr2 rdimm应用定义1.8 v可配置注册缓冲区 |
JESD82-14A.01 | 2021年10月 |
本标准定义了用于DDR2 RDIMM应用的SSTUB32868注册缓冲区的直流接口参数、开关参数和测试负载的标准规范。SSTU32S2868表示单芯片实现,SSTU32D868表示双芯片实现。这是一个较小的编辑修改,如附件a所示。 委员会(s):JC-40 |
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定义的SSTUB32866 1.8 V可配置的注册缓冲区与奇偶为DDR2 RDIMM应用程序 |
jesd82 - 25.01 | 2023年1月 |
术语更新。本标准定义了用于DDR2 RDIMM应用的SSTUB32866注册缓冲区的直流接口参数、开关参数和测试负载的标准规范。 委员会(s):JC-40 |
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为ddr2 rdimm应用程序定义带有奇偶校验的sstu32d869和sstu32d869注册缓冲区 |
JESD82-12A | 2007年4月 |
本标准定义了SSTU32S869和SSTU32D869注册缓冲区的直流接口参数、开关参数和测试负载的标准规范,用于在高密度DDR2 RDIMM应用程序上驱动重负载。一个典型的应用是一个36 SDRAM平面内存条的目的是为SSTU32S869和SSTU32D869逻辑器件提供一个标准,以实现一致性、源的多样性、消除混淆、简化器件规格和易于使用。 委员会(s):JC-40 |