微电子工业全球标准
标准及文件检索
标题 | 文档# | 日期 |
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当前锡晶须理论和缓解实践指南状态:重申2023年2月 |
JP002 | 2006年3月 |
本文件将深入了解目前已知的锡晶须形成背后的理论,并基于这一知识,提出可能推迟或防止锡晶须形成的潜在缓解措施。还将简要讨论各种缓解做法的潜在效力。提供了每个理论和缓解实践背后的参考资料。 |
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微电路故障分析用户指南:状态:取消2004年11月 |
JEB16 | 1970年7月 |
本指南定义了单片集成微电子电路失效分析的通用程序。虽然广义程序步骤可适用于所有微电子电路,但不包括薄/厚膜混合器件特有的附加分析步骤。 委员会(s):JC-14 |
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处理静电放电敏感(ESDS)设备的分配器要求:被JESD42取代,1994年3月。状态:取代 |
JEP108-B | 1991年4月 |
GaAs场效应晶体管热阻测量指南: |
JEP110 | 1988年7月 |
本出版物适用于要求高可靠性的功率GaAs FET应用。热阻的准确测量对于向用户提供fet工作温度的知识非常重要,从而可以更准确地估计寿命。FET失效机制和故障率通常与温度呈指数关系(这就是为什么温度加速测试是成功的)。由于故障率与温度呈指数关系,因此热阻应参考FET中最热的部分。 委员会(s):jc - 14.7 |
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半导体供应商产品/工艺变更用户通知指南-被JESD46 1997年8月取代。状态:取消 |
JEP117 | 1994年4月 |
委员会(s):jc - 14.4 |
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GaAs MMIC PHEMT/MESFET和HBT可靠性加速寿命测试指南 |
JEP118A | 2018年12月 |
这些指南适用于GaAs单片微波集成电路(mmic)及其单个组件,如GaAs金属半导体场效应晶体管(mesfet)、伪纯高电子迁移率晶体管(PHEMTs)、异质结双极晶体管(HBTs)、电阻和电容器。虽然本文档中描述的程序可以应用于其他半导体技术,特别是那些用于射频和微波频率模拟应用的技术,但它主要用于基于GaAs和相关III-V材料系统(InP, AlGaAs, InGaAs, InGaP, GaN等)的技术。 委员会(s):jc - 14.7 |
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湿度敏感部件的包装、处理和重新包装指南。被1999年5月J-STD-033取代。状态:取消1999年11月 |
JEP124 | 1995年12月 |
委员会(s):jc - 14.4 |
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晶圆级电测试用标准探针板尺寸和布局指南:状态:取消2021年9月(JC-14.2-21-182) |
JEP128 | 1996年11月 |
本指南已被2021年9月的JESD241所取代 委员会(s):jc - 14.2 |
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集成电路单元容器包装(管、托盘、磁带和卷筒)的包装和标签指南 |
JEP130C | 2023年2月 |
本文件规定了集成电路单元集装箱及其下一级(中级)集装箱包装和标签的指南。指南包括管/轨标准化,中间包装,日期代码,管标签,中间集装箱和运输标签,以及标准化管的数量。本文件未来的修订还将包括托盘和卷轴指南。本出版物的目的是促进制造商和分销商之间的实践标准化,从而提高效率,盈利能力和产品质量。 |
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准备客户提供的与半导体器件故障分析相关的背景信息的指南: |
JEP134 | 1998年9月 |
本指南的目的是为以简洁、有组织和一致的格式获取和传播必要的信息提供工具。指南中包含了一个示例表单,可以方便地以易于解释的格式将最大数量的后台数据传输给故障分析人员。这些关键信息的立即可用性有助于分析人员完成及时而准确的故障分析。 委员会(s):jc - 14.6 |
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特征分析: |
JEP136 | 1999年7月 |
特征分析是一种应用统计推理技术减少综合物理失效分析次数的方法。本文档的目的是通过推理促进签名分析的通用定义,使用相同的统计技术,并认识到它是进行故障分析的正式手段。 委员会(s):jc - 14.6 |
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砷化镓功率场效应晶体管总规范: |
JES2 | 1992年7月 |
为设计用于航天器通信发射机等高可靠性空间应用的砷化镓功率场效应晶体管(fet,也称为mesfet)制定指导要求和质量保证规定。确定与功率GaAs fet相关的电气参数、晶圆验收测试、筛选测试、合格测试和批量验收测试。适用于封装及芯片载体部件;部分可能不适用于未包装和未安装的芯片。 委员会(s):jc - 14.7 |
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塑料表面贴装器件的湿度诱导应力敏感性-被J-STD-020A取代,1999年4月。状态:取消2000年5月 |
JESD22-A112-A | 1995年11月 |
J-STD-020现在是D版。 |
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通孔安装设备的抗焊锡冲击性能状态:重申2023年2月 |
JESD22-B106E | 2016年11月 |
该测试方法用于确定固态器件是否能够承受在焊接波峰过程和/或焊接喷泉(返工/更换)过程中焊接其引线时所遭受的温度冲击的影响。热量通过引线从电路板背面的焊锡热传导到设备封装中。 委员会(s):jc - 14.1 |
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直流应力下n沟道mosfet热载流子致退化的测量方法: |
JESD28-A | 2001年12月 |
本文描述了一种使用直流偏置测量单个n通道MOSFET热载流子诱导退化的加速测试。本文件的目的是指定最小测量集,以便以简单、一致和可控的方式在不同技术、IC工艺和工艺变化之间进行有效的比较。所规定的测量应被视为晶体管制造过程的表征和基准测试的起点。 委员会(s):jc - 14.2 |
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硅器件失效机制驱动的可靠性鉴定状态:取消2004年11月 |
JESD34 | 1993年3月 |
本文件适用于新的或改变的硅器件及其材料或制造工艺的可靠性鉴定。不涉及产品质量或功能的认证。为传统的压力驱动资格认证提供替代方案。 委员会(s):jc - 14.2 |
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薄介质片级测试程序: |
JESD35-A | 2001年4月 |
修订后的JESD35旨在用于MOS集成电路制造行业。它描述了用于估计薄栅氧化物的整体完整性和可靠性的程序。描述了三个基本的测试程序,电压斜坡(V-Ramp),电流斜坡(J-Ramp)和新的恒流(有界J-Ramp)测试。每个测试的设计简单,快速和易于使用。该标准已经更新,包括击穿标准,在检测可能不会经历硬热击穿的较薄栅极氧化物击穿方面更加可靠。 委员会(s):jc - 14.2 |
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jsd35附录1,薄介质晶圆级测试试验结构设计的一般导则 |
JESD35-1 | 1995年9月 |
本附录通过详细说明可能影响JESD35中所述斜坡测试所获得的测试结果的测量误差的各种来源,扩展了标准35 (JESD35)的有用性。描述了每个误差来源,并指出了其对测试结构设计的影响。在设计薄氧化物可靠性鉴定和表征的测试结构时,本附录可作为指南,特别是通过实施加速电压或电流斜坡测试。 委员会(s):jc - 14.2 |
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JESD35附录2 -薄介质晶圆级测试的测试标准 |
JESD35-2 | 1996年2月 |
本附录包括补充JESD35的测试标准。JESD35描述了用于估计MOS集成电路制造业中薄氧化物的整体完整性的程序。JESD35中包括两个测试程序:电压斜坡(V-Ramp)和电流斜坡(J-Ramp)。随着JESD35在各种测试结构和氧化物属性的生产设施上的实施,需要澄清终点确定,并指出一些可以通过仔细表征设备和测试结构来克服的障碍。 委员会(s):jc - 14.2 |
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失效分析报告格式标准: |
JESD38 | 1995年12月 |
本标准旨在促进半导体器件故障分析报告内容和格式的统一,以便客户可以方便地阅读、比较和理解来自不同实验室的报告。其他目标是确保用户可以轻松地准备报告,在复印机上令人满意地复制,通过电传充分传送,并方便地存储在标准文件柜中。 委员会(s):jc - 14.6 |