微电子工业全球标准
标准及文件检索
标题 | 文档# | 日期 |
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hbm / mm鉴定的推荐esd目标水平 |
JEP155B | 2018年7月 |
本文档旨在为半导体公司及其客户的质量组织提供信息,以评估并制定安全ESD水平要求。通过本文档,我们将说明为什么对组件级ESD的ESD目标级别进行切实可行的修改不仅是必要的,而且是紧迫的。该文档被组织在不同的部分,以提供尽可能多的技术细节,以支持在摘要中给出的目的。2009年6月,制定委员会批准在本文件的封面上增加ESDA标志。修订历史见附件C。 |
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建议的esd-cdm目标水平 |
JEP157A | 2022年4月 |
撰写本文档的目的是为半导体公司的质量组织及其客户提供信息,以评估并制定安全ESD CDM级别的要求。 |
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系统级esd:第二部分:有效esd稳健设计的实现这是一次编辑修订,详情见附件F。 |
JEP162A.01 | 2021年1月 |
本文在阐述系统级ESD的复杂性的同时,提出只有在系统级分析ESD条件下各个组件的交互作用时,才能实现有效的ESD设计。这一目标需要组件的适当描述和使用模拟数据评估整个系统的方法。适用于不同类型的系统故障(如硬故障、软故障、电磁干扰故障等)。这种类型的系统方法早就应该采用了,它代表了一种先进的设计方法,取代了JEP161中详细讨论的错误观念,即如果所有组件都超过一定的ESD级别,系统就足够健壮。 |
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理解电超应力状态:重申2022年5月 |
JEP174 | 2016年9月 |
本白皮书的目的是向电子行业介绍EOS的新视角。由于表现出EOS损坏的故障在行业中很常见,这些严重的过度压力事件是许多产品损坏的一个因素,本白皮书的目的是阐明EOS的真正含义,以及一旦正确理解它,如何减轻它。 委员会(s):jc - 14.3 |
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系统级esd第1部分:常见误解和推荐的基本方法状态:重申2016年6月 |
JEP161 | 2011年1月 |
本报告是由两部分组成的文件的第一部分。第一部分将主要讨论以系统物理损坏为特征的硬故障(根据IEC 61000-4-2分类为d类故障)。在许多情况下,软故障,即系统的操作被打乱而没有物理损坏,也是重要的和主要的。 |
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停止使用用于设备esd鉴定的机器型号状态:重申2020年9月 |
JEP172A | 2015年7月 |
在过去的几十年里,所谓的“机器模型”(又名MM)及其在ESD组件认证中的应用被严重误解。本JEDEC文件的范围是在不降低IC组件制造ESD可靠性的情况下,提供停止使用此特定模型应力测试的证据。在这方面,本文件的目的是提供必要的技术论据,强烈建议IC认证不再使用该模型。发布的文档应该被用作在整个行业传播这一信息的参考。 委员会(s):jc - 14.3 |
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为固态技术的术语字典,第7版 |
JESD88F | 2018年2月 |
这个参考技术作家和教育工作者,制造商,买家和用户的离散固态设备现在是可用的。它应帮助JEDEC的技术委员会避免多重定义和减少冗余定义yabo2018的扩散。长期目标是包括来自所有JEDEC出版物和标准的定义。大约2000个条目中的每一个都引用了其源出版物,并包括一个附件,列出了源出版物的名称及其发布日期。所有的条目都被审查了标点符号、语法、清晰度和准确性,如果认为有必要,就重新措辞。本词典的目的是促进在整个固态工业中术语、定义、缩写和符号的统一使用 委员会(s):JC-10 |
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固态可靠性评估鉴定方法 |
JEP143D | 2019年1月 |
本出版物的目的是提供一些最常用的系统和测试方法的概述,历史上由制造商执行,以评估和鉴定固态产品的可靠性。适当地引用了现有的和拟议的JEDEC(或EIA)标准和出版物。本文件还旨在提供与评估和合格微电路可靠性相关的一些技术和经济因素的教育背景和概述。 |
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通用闪存,ufs 2.2 |
jesd220c - 2.2 | 2020年8月 |
本标准的目的是定义UFS通用闪存电接口和UFS存储设备。该标准定义了一个唯一的UFS特性集,并将eMMC标准的特性集作为一个子集。该标准取代了JESD220C、UFS 2.1,并引入了名为WriteBooster的特性。138.88项目。 委员会(s):jc - 64.1 |
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通用闪存存储,版本4.0 |
JESD220F | 2022年8月 |
本文档取代了所有过去的版本,但JESD220E, 2020年1月(V 3.1)仅供参考。本标准规定了UFS电接口和存储设备的特性。这些特征包括低功耗、高数据吞吐量、低电磁干扰和优化大容量内存子系统效率。UFS电接口基于MIPI M-PHY规范的高级差动接口,该规范与MIPI UniPro规范一起形成了UFS接口的互连。 委员会(s):jc - 64.1 可供购买:369.00美元 添加到购物车 JEDEC付费会员可以登录免费访问。 |
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通用闪存(UFS), 2.1版状态:取代2020年8月 |
jesd220c - 2.1 | 2016年3月 |
本文件已被2020年8月的JESD220C-2.2所取代,仅供参考。 本标准规定了UFS电接口和存储设备的特性。这样的特征包括(在其他人)低权力消费,高数据吞吐量,低电磁干扰与大容量内存子系统效率优化。UFS电气接口是基于MIPI M-PHY规范的先进差分接口MIPI UniPro规范形成了UFS接口的互连。架构模型是引用INCITS T10 (SCSI) SAM标准,命令协议基于INCITS T10(SCSI) SPC和SBC标准。133.00 b项 委员会(s):jc - 64.1 |
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通用闪存(UFS), 3.0版状态:取代2020年1月 |
JESD220D | 2018年1月 |
本文件已被2020年1月的JESD220E所取代,但仅供参考。 专利():JEDEC成员可在成员区域获得完整的保证/披露表格清单。非会员可向JEDEC办事处索取个别保证/披露表格。 委员会(s):jc - 64.1 可供购买:355.00美元 添加到购物车 JEDEC付费会员可以登录免费访问。 |
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通用闪存(UFS), 3.1版 |
JESD220E | 2020年1月 |
本文件已被2022年8月的JESD220F所取代,但仅供参考。 专利():JEDEC成员可在成员区域获得完整的保证/披露表格清单。非会员可向JEDEC办事处索取个别保证/披露表格。 委员会(s):jc - 64.1 可供购买:355.00美元 添加到购物车 JEDEC付费会员可以登录免费访问。 |
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铸造工艺鉴定指南-产品级(晶圆制造基地) |
JEP001-3A | 2018年9月 |
本文档描述了半导体技术鉴定的封装级测试和数据方法。它不会给出通过或失败的值,也不会推荐特定的测试设备、测试结构或测试算法。只要可能,它就会引用适用的JEDEC,如JESD47或其他广泛接受的需求文档标准。 委员会(s):jc - 14.2 |