瞬态双界面测试方法,用于通过单一路径热流的半导体器件的结壳热阻测量

JESD51-14

发布日期:2010年11月

本文件规定了一种测试方法(在此称为“瞬态双界面测量”),以确定“结到壳”的导电热电阻RθJCθJC)的半导体器件,其热流通过单一路径,即半导体器件具有高导电热流路径,从被加热的模具表面到可以通过与外部散热器接触来冷却的封装外壳表面。TDIM主软件://www.ljosalfur.com/download/search/TDIM-Master-2011-04-06.zip

委员会(s):JC-15

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