jc - 70 //www.ljosalfur.com/feeds/yabo2018committees/jc-70/rss.xml 在 SiC MOSFET栅极电荷(QG)测试方法指南 //www.ljosalfur.com/standards-documents/docs/jep192 本出版物定义了一个QGS, TOT, QGD和QGS, TH，可以从SiC mosfet的测量QG波形中提取 2023年1月9日，星期一 10061783 /标准文件/ docs / jep192 JEDEC宽带隙功率半导体委员会发布了碳化硅(SiC) MOS器件偏置温度不稳定性的里程碑文件 //www.ljosalfur.com/news/pressreleases/jedec-wide-bandgap-power-semiconductor-committee-publishes-milestone-document

美国VA阿灵顿- APRIL 29， 2021 - JEDEC固态技术协会，微电子工业标准制定的全球领导者，宣布发布JEP184:用于电力电子转换的碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件偏压温度不稳定性评估指南。由JEDEC的JC-70.2碳化硅小组委员会开发的出版物，JEP184可从J

免费下载 2021年4月29日，星期四 Emilyd /新闻/ pressreleases / jedec-wide-bandgap-power-semiconductor-committee-publishes-milestone-document JEDEC宽带隙功率半导体委员会发布了第一个基于碳化硅(SiC)的功率转换器件指南 //www.ljosalfur.com/news/pressreleases/jedec-wide-bandgap-power-semiconductor-committee-publishes-its-first-guideline

美国弗吉尼亚州阿灵顿- 2021年2月2日 - JEDEC固态技术协会，微电子工业标准制定的全球领导者，宣布发布JEP183:测量SiC mosfet阈值电压(VT)指南。JEDEC的JC-70.2碳化硅小组委员会开发的第一份出版物，JEP183可从JEDEC网站.

. >免费下载 2021年2月2日，星期二 Emilyd /新闻/ pressreleases / jedec-wide-bandgap-power-semiconductor-committee-publishes-its-first-guideline JEDEC宽带隙功率半导体委员会发布了GaN功率转换器件连续开关评估的新测试方法 //www.ljosalfur.com/news/pressreleases/jedec-wide-bandgap-power-semiconductor-committee-publishes-new-test-method

美国VA ARLINGTON - 2021年1月26日 - JEDEC固态技术协会，微电子工业标准开发的全球领先企业，公布了JEP182:氮化镓功率转换器件连续开关评估的测试方法

 2021年1月26日，星期二 Emilyd /新闻/ pressreleases / jedec-wide-bandgap-power-semiconductor-committee-publishes-new-test-method 宽带隙功率半导体 //www.ljosalfur.com/category/technology-focus-area/wide-bandgap-power-semiconductors-gan-sic 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)是最成熟的宽带隙(WBG)功率半导体材料，为实现更高性能、更紧凑和更节能的电源系统提供了巨大的潜力。< / p > 2020年6月8日星期一 Emilyd / / technology-focus-area / wide-bandgap-power-semiconductors-gan-sic类别 JEDEC宽带隙功率半导体委员会发布GaN器件开关可靠性评估程序指南 //www.ljosalfur.com/news/pressreleases/jedec-wide-bandgap-power-semiconductor-committee-publishes-guideline-switching

美国弗吉尼亚州阿灵顿- 2020年2月27日 - JEDEC固态技术协会，微电子工业标准制定的全球领导者，宣布出版JEP180:氮化镓功率转换器件开关可靠性评估程序指南。JEP180由JEDEC的JC-70委员会开发，用于宽带隙电力电子转换半导体，可从JEDEC网站.

 2020年2月27日，星期四 Emilyd /新闻/ pressreleases / jedec-wide-bandgap-power-semiconductor-committee-publishes-guideline-switching JEDEC宽带隙功率半导体委员会发布了第一份文件:GaN HEMT动态电阻测试方法 //www.ljosalfur.com/news/pressreleases/jedec-wide-bandgap-power-semiconductor-committee-publishes-its-first-document 美国弗吉尼亚州阿灵顿- 2019年2月11日- - JEDEC固态技术协会，微电子工业标准开发的全球领导者，宣布发布JEP173:基于GaN HEMT的功率转换器件的动态导通电阻测试方法指南

 2019年2月11日，星期一 Emilyd /新闻/ pressreleases / jedec-wide-bandgap-power-semiconductor-committee-publishes-its-first-document 新JEDEC宽带隙功率半导体委员会邀请业界参与 //www.ljosalfur.com/news/pressreleases/new-jedec-committee-wide-bandgap-power-semiconductors-invites-industry

美国弗吉尼亚州阿灵顿- 2017年12月20日 - JEDEC固态技术协会，微电子工业标准制定的全球领导者，宣布其最新委员会成功启动:JC-70宽带隙电力电子转换半导体。JC-70于10月底举行了第一次会议，由来自英飞凌科技、德州仪器、Transphorm和Wolfspeed (Cree公司)的委员会和小组委员会主席领导，共有23家成员公司 2017年12月20日，星期三 Emilyd /新闻/ pressreleases / new-jedec-committee-wide-bandgap-power-semiconductors-invites-industry 新JEDEC委员会为宽带隙功率半导体制定标准 //www.ljosalfur.com/news/pressreleases/new-jedec-committee-set-standards-wide-bandgap-power-semiconductors

美国弗吉尼亚州阿灵顿- 2017年9月11日 - JEDEC固态技术协会，微电子工业标准制定的全球领导者，今天宣布成立新的JEDEC委员会:JC-70宽带隙电力电子转换半导体。

 2017年9月11日，星期一 Emilyd /新闻/ pressreleases / new-jedec-committee-set-standards-wide-bandgap-power-semiconductors
Baidu