Rocs研讨会

星期一,5月9日在蒙特雷,加州

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JEDEC期待着欢迎您回到与第36届年度Roc(复合半导体的可靠性)研讨会的人员。该研讨会将再次与CS Mantech会议共处,其目标是将化合物半导体器件的研究人员,制造商和用户联系在一起。

2022年ROCS议程

早上会议

7:30-8:泉 登记与会者的现场办理登机手续
8:00-8:上午10点

欢迎开幕词

Randy Lewis,Northrop Grumman Corporation

8:10-8:40AM

S.宽带隙电源转换设备可靠性,资格,测试和数据表参数:JEDEC委员会JC-70的进度,影响和未来计划

介绍:蒂姆麦克唐纳,英飞凌

8:40-9:上午10点

硅装置上900V GaN的资格数据

呈现:ron barr,transphorm

9:10-9:40AM

GaN装置的热载体诱捕的物理及对动态导通电阻的影响

展示:罗伯特斯特蒂姆特博士,EPC

9:40-10:00AM 休息
10:00-10:30AM

SIC电源设备可靠性和鲁棒性 - 故障机制和预测生活模型

提出:Don Gajewski,Wolfspeed

10:30-11:05AM

热成像教程

呈现:Grant albright,量子焦点仪器公司

11:05-11:40AM

RF加速寿命测试的实际挑战

呈现:罗兰肖,Accel-RF Instruments Corporation

11:40 Am-Noon.

GaN HEMT可靠性时间进化与现场效果的建模

介绍:Gergana Drandova,Qorvo

中午1:00pm 午餐
下午会议
1:00-1:20pm

温度加速度和可靠性的路径,无热感RF-GaN HEMT

介绍:Satyaki Ganguly,Wolfspeed

1:20-1:40PM

500.O.Cβ-GA的操作2O.3.MOSFET在空中的环境中

提出:Ahmad伊斯兰教,AFRL

1:40-2:00pm

GaAs和AIGAAS引脚二极管的可靠性研究

提出:詹姆斯卡特,沼泽地

2:00-4:00pm

亚博收网行动与Mantech车间/高级包装联合会议:批评生态系统和可靠性考虑

呈现:David Shahin和Kaysar Rahim,Rorthrop Grumman Corporation

4:00-4:20pm

SiGe HBT可靠性研究

介绍:迈克尔朗洛斯,北罗姆曼公司

4:20-4:40PM

以更高效和准确的质量和可靠性估算;修复广泛使用的方法

介绍:查尔斯Recchia,IEEE

4:40-5:00pm

商业现成的AIGAN / GAN HEMT长期老化效果研究略高的通道温度

呈现:Brian Poling,AFRL

主题和主题可能会有所变化,恕不另行通知。

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