Rocs研讨会

星期一，5月9日在蒙特雷，加州

在线注册即将结束！今天注册为了获得最佳利率。

JEDEC期待着欢迎您回到与第36届年度Roc（复合半导体的可靠性）研讨会的人员。该研讨会将再次与CS Mantech会议共处，其目标是将化合物半导体器件的研究人员，制造商和用户联系在一起。

2022年ROCS议程

早上会议

7：30-8：泉	登记与会者的现场办理登机手续
8：00-8：上午10点	欢迎开幕词 Randy Lewis，Northrop Grumman Corporation
8：10-8：40AM	S.宽带隙电源转换设备可靠性，资格，测试和数据表参数：JEDEC委员会JC-70的进度，影响和未来计划 介绍：蒂姆麦克唐纳，英飞凌
8：40-9：上午10点	硅装置上900V GaN的资格数据 呈现：ron barr，transphorm
9：10-9：40AM	GaN装置的热载体诱捕的物理及对动态导通电阻的影响 展示：罗伯特斯特蒂姆特博士，EPC
9：40-10：00AM	休息
10：00-10：30AM	SIC电源设备可靠性和鲁棒性 - 故障机制和预测生活模型 提出：Don Gajewski，Wolfspeed
10：30-11：05AM	热成像教程 呈现：Grant albright，量子焦点仪器公司
11：05-11：40AM	RF加速寿命测试的实际挑战 呈现：罗兰肖，Accel-RF Instruments Corporation
11:40 Am-Noon.	GaN HEMT可靠性时间进化与现场效果的建模 介绍：Gergana Drandova，Qorvo
中午1：00pm	午餐
下午会议
1：00-1：20pm	温度加速度和可靠性的路径，无热感RF-GaN HEMT 介绍：Satyaki Ganguly，Wolfspeed
1：20-1：40PM	500.O.Cβ-GA的操作2O.3.MOSFET在空中的环境中 提出：Ahmad伊斯兰教，AFRL
1：40-2：00pm	GaAs和AIGAAS引脚二极管的可靠性研究 提出：詹姆斯卡特，沼泽地
2：00-4：00pm	亚博收网行动与Mantech车间/高级包装联合会议：批评生态系统和可靠性考虑 呈现：David Shahin和Kaysar Rahim，Rorthrop Grumman Corporation
4：00-4：20pm	SiGe HBT可靠性研究 介绍：迈克尔朗洛斯，北罗姆曼公司
4：20-4：40PM	以更高效和准确的质量和可靠性估算;修复广泛使用的方法 介绍：查尔斯Recchia，IEEE
4：40-5：00pm	商业现成的AIGAN / GAN HEMT长期老化效果研究略高的通道温度 呈现：Brian Poling，AFRL

主题和主题可能会有所变化，恕不另行通知。