微电子工业的全球标准
Rocs研讨会
星期一,5月9日在蒙特雷,加州
在线注册即将结束!今天注册为了获得最佳利率。
JEDEC期待着欢迎您回到与第36届年度Roc(复合半导体的可靠性)研讨会的人员。该研讨会将再次与CS Mantech会议共处,其目标是将化合物半导体器件的研究人员,制造商和用户联系在一起。
2022年ROCS议程
早上会议
7:30-8:泉 | 登记与会者的现场办理登机手续 |
8:00-8:上午10点 | 欢迎开幕词Randy Lewis,Northrop Grumman Corporation |
8:10-8:40AM | S.宽带隙电源转换设备可靠性,资格,测试和数据表参数:JEDEC委员会JC-70的进度,影响和未来计划介绍:蒂姆麦克唐纳,英飞凌 |
8:40-9:上午10点 | 硅装置上900V GaN的资格数据呈现:ron barr,transphorm |
9:10-9:40AM | GaN装置的热载体诱捕的物理及对动态导通电阻的影响展示:罗伯特斯特蒂姆特博士,EPC |
9:40-10:00AM | 休息 |
10:00-10:30AM | SIC电源设备可靠性和鲁棒性 - 故障机制和预测生活模型提出:Don Gajewski,Wolfspeed |
10:30-11:05AM | 热成像教程呈现:Grant albright,量子焦点仪器公司 |
11:05-11:40AM | RF加速寿命测试的实际挑战呈现:罗兰肖,Accel-RF Instruments Corporation |
11:40 Am-Noon. | GaN HEMT可靠性时间进化与现场效果的建模介绍:Gergana Drandova,Qorvo |
中午1:00pm | 午餐 |
下午会议 | |
1:00-1:20pm | 温度加速度和可靠性的路径,无热感RF-GaN HEMT介绍:Satyaki Ganguly,Wolfspeed |
1:20-1:40PM | 500.O.Cβ-GA的操作2O.3.MOSFET在空中的环境中提出:Ahmad伊斯兰教,AFRL |
1:40-2:00pm | GaAs和AIGAAS引脚二极管的可靠性研究提出:詹姆斯卡特,沼泽地 |
2:00-4:00pm | 亚博收网行动与Mantech车间/高级包装联合会议:批评生态系统和可靠性考虑呈现:David Shahin和Kaysar Rahim,Rorthrop Grumman Corporation |
4:00-4:20pm | SiGe HBT可靠性研究介绍:迈克尔朗洛斯,北罗姆曼公司 |
4:20-4:40PM | 以更高效和准确的质量和可靠性估算;修复广泛使用的方法介绍:查尔斯Recchia,IEEE |
4:40-5:00pm | 商业现成的AIGAN / GAN HEMT长期老化效果研究略高的通道温度呈现:Brian Poling,AFRL |
主题和主题可能会有所变化,恕不另行通知。 | |