微电子工业全球标准
标准及文件检索
标题 | 文档# | 日期 |
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基于GaN HEMT的功率转换器件的动态导通电阻试验方法指南,1.0版 |
JEP173 | 2019年1月 |
本文档适用于GaN功率半导体和相关电力电子行业,为测量GaN功率器件的动态导通电阻提供指南。 委员会(s):jc - 70.1 |
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氮化镓功率转换器件开关可靠性评估程序指南 |
JEP180.01 | 2021年1月 |
本文档适用于GaN产品供应商和相关电力电子行业。它为评估GaN功率开关的开关可靠性和确保其在功率转换应用中的可靠使用提供了指南。它适用于平面增强模式、耗尽模式、GaN集成电源解决方案和级联GaN功率开关。 委员会(s):jc - 70.1 |
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氮化镓功率转换装置连续开关评定的试验方法 |
JEP182 | 2021年1月 |
本文档旨在用于GaN功率半导体和相关的电力电子行业,并提供用于GaN功率转换器件的连续开关测试的测试方法和电路指南。 委员会(s):jc - 70.1 |
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SiC mosfet阈值电压(VT)测量指南 |
JEP183A | 2023年1月 |
本出版物描述了VT测量方法的指导方针,以及在SiC功率mosfet中进行VT测试之前的调理,以减少或消除上述滞后的影响。 委员会(s):jc - 70.1 |
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电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏置温度不稳定性评价导则 |
JEP184 | 2021年3月 |
本文档的范围涵盖了具有栅极介电区偏置的器件的基于sic的PECS器件。这通常指的是MOS器件,如mosfet和igbt。在本文档中,仅讨论NMOS器件,因为它们在功率器件应用中占主导地位;然而,程序也适用于PMOS器件。 委员会(s):jc - 70.2 |
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在横向氮化镓功率转换器件的数据表中指定瞬态断开状态耐压稳健性指标的指南,版本1.0 |
JEP186 | 2021年12月 |
本指南描述了在横向GaN功率转换器件的数据表中指定瞬时断开状态耐压稳健性指标的不同技术。本指南不提供任何规格类型的首选项,也不涉及数据表的格式。本指南不指示也不要求在生产测试中使用数据表参数,也不指定如何获得这些值。 委员会(s):jc - 70.1 |
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在数据表中表示SIC mosfet开关损耗的指南 |
JEP187 | 2021年12月 |
本文档描述了测量和/或设置参数对功率半导体开关开关损耗的影响;主要关注SiC MOSFET的导通损耗。在关断损耗方面,SiC mosfet的行为类似于现有的硅基功率mosfet,因此在典型的数据表中有充分的表示。 委员会(s):jc - 70.2 |
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SiC功率器件dv/dt稳健性评估指南1.0版 |
JEP190 | 2022年8月 |
本文档提供了应力程序、一般失效准则和文档指南,从而可以演示、评估和记录dv/dt稳健性。本文档给出了可以使用的测试设置示例和相应的测试条件。此外,还解释了设备制造商可以选择适当测试设置的标准。 委员会(s):jc - 70.2 |
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SiC MOSFET栅极电荷(QG)测试方法指南 |
JEP192 | 2023年1月 |
本出版物定义了QGS, TOT, QGD和QGS, TH,它们可以从SiC mosfet的测量QG波形中提取。 |
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碳化硅功率mosfet栅极氧化物可靠性和稳健性评估程序指南 |
JEP194 | 2023年2月 |
本文档提供了具有栅极氧化物或栅极电介质的基于碳化硅(SiC)的功率器件的栅极可靠性和寿命测试评估指南。 |
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电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件栅极开关不稳定性评价导则 |
JEP195 | 2023年2月 |
本文档详细阐述了JEP184中给出的关于设备参数在静态条件和接近开关条件下的长期稳定性的信息。 |