微电子工业全球标准
标准及文件检索
标题 | 文档# | 日期 |
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用于娱乐服务的低功率音频晶体管的beta指定范围和条件:状态:重申1981年4月,1999年4月,2009年3月 |
JESD302 | 1965年1月 |
本标准规定了用于娱乐服务的低功率音频晶体管的首选额定值范围和条件。原名RS-302和EIA-302。 委员会(s):JC-25 |
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晶体管小信号hf、vhf、uhf功率增益的测量状态:重申1981年4月,1999年4月,2009年3月 |
JESD306 | 1965年5月 |
本标准为低功率晶体管的小信号HF、VHF和UHF功率增益提供了一种测量方法。以前称为RS-306和/或EIA-306。 委员会(s):JC-25 |
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传导冷却功率晶体管热阻测量:状态:重申1981年4月,2001年4月 |
JESD313-B | 1975年10月 |
本标准提供了测量传导冷却功率晶体管热阻的试验方法。 委员会(s):JC-25 |
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cre的测量标准状态:重申1981年4月,1999年4月,2009年3月 |
JESD340 | 1967年11月 |
该标准提供了一个易于测量的参数,该参数是确定用于小信号操作的晶体管稳定性的重要特征之一。测量技术允许快速测试。它与交流稳定性的相关性将有助于建立设备的互换性。以前称为RS-340和/或EIA-340。 委员会(s):JC-25 |
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用正弦信号发生器方法测量频率高达20千赫的晶体管噪声图状态:重申1981年4月,1999年4月,2009年3月 |
JESD353 | 1968年4月 |
这种噪声测量方法适用于噪声具有高斯功率分布的晶体管,噪声具有平坦(白色)功率分布的晶体管,以及噪声具有l/f(功率与频率成反比)功率分布的晶体管。以前称为RS-353和/或EIA-353 委员会(s):JC-25 |
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晶体管等效噪声电压和等效噪声电流的测量频率高达20千赫状态:重申1981年4月,1999年4月,2009年3月 |
JESD354 | 1968年4月 |
本标准提供了一种在频率高达20千赫的情况下为晶体管等效噪声电压和等效噪声电流确定值的方法。这种方法适用于噪声为高斯分布、平直(白)或I/f功率分布的晶体管。以前称为RS-354和/或EIA-354 委员会(s):JC-25 |
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小信号vhf-uhf晶体管短路正向电流传递比的测量:状态:重申1981年4月,1999年4月,2009年3月 |
JESD371 | 1970年2月 |
本标准描述了小信号VHF-UHF晶体管短路正向电流传输比的测量方法,用于制备低功率晶体管JEDEC注册数据表。以前称为RS-371和/或EIA-371。 委员会(s):JC-25 |
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小信号vhf-uhf晶体管导纳参数的测量:状态:重申1981年4月,1999年4月,2009年3月 |
JESD372 | 1970年5月 |
本标准描述了在制备低功率晶体管JEDEC配准数据表时用于测量小信号VHF-UHF晶体管导纳参数的方法。以前称为RS-372和/或EIA-372 委员会(s):JC-25 |
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晶体管电容小值的测量:状态:重申1981年4月,1999年4月,2009年3月 |
JESD398 | 1972年7月 |
本标准包含电容测量的三端子程序,并适当注意屏蔽由于端子引线和金属外壳造成的额外影响。以前称为RS-398和/或EIA-398 委员会(s):JC-25 |
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小信号晶体管散射参数测量标准:状态:重申1999年4月,2009年3月 |
JESD435 | 1976年4月 |
本标准规定了小信号晶体管散射参数的测量标准。以前称为RS-435和/或EIA-435 委员会(s):JC-25 |
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功率mosfet电剂量率测试方法:状态:重申1999年4月 |
JEP115 | 1989年8月 |
本测试方法的目的是建立比较和规定功率MOSFET在高剂量率辐射下的性能的电学标准。 委员会(s):JC-25 |
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红外热成像测定模具温度的用户指南: |
JEP138 | 1999年9月 |
本用户指南的目的是为使用红外(IR)显微镜确定电子器件的模具温度以进行热阻等计算提供背景和示例。 委员会(s):JC-25 |
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功率晶体管最大额定值验证的试验程序:状态:重申1981年9月,1999年4月 |
JEP65 | 1967年12月 |
本出版物描述了用于验证数据表最大额定值的测试;它们不是性能或质量水平的测试。该材料将与为设备注册和定义数据而开发的格式一起使用。 委员会(s):JC-25 |
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场效应晶体管的首选引线配置:状态:重申1981年9月,1999年4月 |
JEP69-B | 1973年11月 |
本出版物指出了在各种封装设计中fet的首选引脚。 委员会(s):JC-25 |
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晶体管引线温度测量的推荐实施规程: |
JEP84A | 2004年6月 |
本出版物涵盖了在各种负载条件下测量晶体管引线温度的推荐方法。所描述的技术对于大多数应用来说是足够准确的。 委员会(s):JC-25 |
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功率场效应管: |
JESD24 | 1985年7月 |
该标准包含术语和定义以及字母符号的列表;对半导体工业型功率晶体管指定所遵循的既定程序的描述;电气验证试验;热特性;还有用户指南。 委员会(s):JC-25 |
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JESD24附录1 .电力设备关断开关损耗的测量方法:状态:重申1999年4月,2002年10月 |
JESD24 - 1 | 1989年10月 |
介绍了用于测量双极、IGBT和MOSFET功率半导体关断损耗的典型示波器波形的方法和基本测试电路。该方法可作为评估功率半导体关断开关损耗能力的标准,并定义电子工业中应参考的标准术语。 委员会(s):JC-25 |
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JESD24附录第10号。功率MOSFET漏源二极管反向恢复时间trr测量的试验方法:状态:重申2002年10月 |
JESD24-10 | 1994年8月 |
测量功率MOSFET漏源二极管反向恢复特性的测试方法。 委员会(s):JC-25 |
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JESD24附录2 -栅电荷测试方法状态:重申2002年10月 |
JESD24 - 2 | 1991年1月 |
本附录建立了一种测量功率器件栅电荷的方法。栅极充电测试是通过恒定电流驱动器件栅极并测量产生的栅极电压响应来进行的。恒定的栅极电流将栅极电压(时间的函数)扩展为库仑的函数。产生的响应的斜率反映了有源器件电容在开关转变过程中的变化。栅极电荷测量对于表征功率MOS和IGBT器件的大信号开关性能非常有用。该方法由JEDEC JC-25委员会历时四年开发,定义了一种可重复测量广泛发布的Qgd电荷值的方法。 委员会(s):JC-25 |
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JESD24附录11 -功率MOSFET等效串联栅极电阻测试方法:状态:重申2001年3月,2002年10月 |
JESD24-11 | 1996年8月 |
测量功率MOSFET栅极到源的等效电阻的测试方法。 委员会(s):JC-25 |