微电子工业全球标准
标准及文件检索
标题 | 文档# | 日期 |
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双电阻紧凑热模型指南 |
JESD15-3 | 2008年7月 |
本文档从JEDEC接点到外壳和接点到板的热指标,指定了两电阻紧凑热模型(CTM)的定义和构造。本文档提供的指导仅适用于JEDEC标准JESD51-8和JESD51-12中定义的热指标。本文档的范围仅限于可以用单个结温度有效表示的单模封装。 委员会(s):JC-15 |
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组件封装热测量方法(单个半导体器件) |
JESD51 | 1995年12月 |
本标准及其后续附录提供了一个热测量标准,如果完全遵循该标准,将提供正确和有意义的数据,以确定特定条件下的结温。这些数据可用于封装设计评估、器件表征和可靠性预测。 |
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热测试芯片指南(线键合和倒装芯片) |
JESD51-4A | 2019年7月 |
本文件的目的是为用于集成电路(IC)和晶体管封装热特性和研究的热测试芯片提供设计指南。本指南的目的是尽量减少由于非标准测试芯片而收集到的数据差异,并为热调查提供一个定义良好的参考。 委员会(s):JC-15 |
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热建模概述 |
JESD15 | 2008年10月 |
本文档和相关系列文档旨在促进建模方法的持续发展,同时通过定义讨论建模的通用词汇,创建热建模报告中应包括哪些信息的要求,并在适当的情况下指定建模程序和验证方法,为建模方法的使用提供一致的框架。本文档概述了为包含半导体器件的封装执行有意义的热模拟所必需的方法。实际的方法组件包含在单独的详细文档中。 |
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紧凑热模型概述 |
JESD15-1 | 2008年10月 |
本文档应与主文档、JESD15和JESD15-2以及可用的辅助文档一起使用。本文档旨在作为一个概述,以支持有效使用紧凑型热模型(CTM)方法,如配套方法文档中规定的那样。目前,有两份这样的文件;JESD15-3和JESD15-4。 |
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德尔菲紧凑热模型指南 |
JESD15-4 | 2008年10月 |
本指南规定了定义并列出了基于DELPHI方法构建紧凑热模型(CTM)的可接受方法。本文件的目的有两个。首先,它旨在为那些寻求创建包的DELPHI紧凑模型的人提供明确的指导。其次,它旨在为用户提供对创建和验证它们的方法的理解,以及与使用它们相关的问题。 委员会(s):JC-15 |
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电子封装电感电容模型参数测量导则: |
JEP123 | 1995年10月 |
对这一指导方针的需求源于在表征电子封装的电气参数方面普遍缺乏一致性,这种情况一直存在于行业中,直到20世纪90年代初。然后,JEDEC委员会JC-15提供了讨论各种方法和出现共同方法的论坛。其结果是,今天我们在测量和报告电气封装参数方面有相对一致的结果,以及专门的工具(例如IPA-510,互连参数分析仪),这些工具是为支持该方法而开发的。 |
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热测量术语和定义 |
JESD51-13 | 2009年6月 |
本文档提供了半导体热测量领域常用术语和定义的统一集合。本文提供的术语和定义超出了在JESD51系列文件中使用的术语和定义,包括半导体热测量领域中其他常用的术语和定义。 委员会(s):JC-15 |
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多芯片封装热测试环境修改 |
JESD51-31 | 2008年7月 |
本文档指定了多芯片封装对JESD51系列规格中指定的热测试环境条件所需的适当修改。从本文档的方法获得的数据是用于记录封装热性能的原始数据。这些数据的使用将记录在JESD51-XX,支持有效使用MCP热测量的指南中,该指南正在编写中。 委员会(s):JC-15 |
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扩展到jesd51热测试板标准,以适应多芯片封装 |
JESD51-32 | 2010年12月 |
本文件阐述了扩展现有热测试板标准的需求,以适应多芯片封装(mcp)的更高电气连接需求的潜力,以及实现这些连接的相关电线布线。本标准中描述的扩展也适用于测试中需要超过36个电气连接的单芯片封装。 委员会(s):JC-15 |
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用于测量具有暴露冷却表面的发光二极管的实际热阻和阻抗的电气测试方法的实施 |
JESD51-51A | 2022年11月 |
本文件的目的是说明如何通过物理测量最好地识别led热指标和其他热相关数据,使用为封装半导体器件热测试定义的成熟测试程序(由JEDEC发布和维护)和为光源特性定义的测试程序(由CIE -国际照明委员会发布和维护)。 委员会(s):JC-15 |
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cie 127-2007总通量测量与冷却表面暴露的led热测量相结合的指南 |
JESD51-52A | 2022年11月 |
本文件旨在与JESD51-50系列标准结合使用,特别是与JESD51-51(带有暴露冷却表面的发光二极管实际热阻和阻抗测量电气测试方法的实施)文件一起使用。本文件着重于led总辐射通量的测量与led热特性的测量相结合:提供了CIE 127-2007文件建议的实施指南。 委员会(s):JC-15 |
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led热测试术语,定义和单位术语表 |
JESD51-53A | 2022年10月 |
本文档提供了LED热测量领域常用术语和定义的统一集合。本文提供的术语和定义超出了在JESD51系列文件中使用的术语和定义,特别是在JESD51-13中,以包括在led光输出测量领域中其他经常使用的术语和定义。这里使用的关于光输出测量的定义、符号和表示法与JESD77C中定义的一致。1和CIE(国际照明委员会)定义的标准,特别是在国际照明词汇,CIE S 017/E:2011 ILV和CIE 127-2007文件中,以及来自固态照明行业的其他标准化机构的其他相关标准,例如ANSI/IESNA RP 16-05。 委员会(s):JC-15 |
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报告和使用电子包装热信息指南 |
jesd51 - 12.01 | 2012年11月 |
本文档提供了报告和使用使用JEDEC JESD51标准生成的电子封装热信息的指南。通过解决这两个方面的问题,本文件可作为电子封装热信息供应商和用户之间讨论的共同基础。 |
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瞬态双界面测试方法,用于通过单一路径热流的半导体器件的结壳热阻测量 |
JESD51-14 | 2010年11月 |
本文件规定了一种测试方法(在此称为“瞬态双界面测量”),以确定“结到壳”的导电热电阻RθJC(θJC)的半导体器件,其热流通过单一路径,即半导体器件具有高导电热流路径,从被加热的模具表面到可以通过与外部散热器接触来冷却的封装外壳表面。TDIM主软件:tdim -硕士- 2011 - 04 - 06. - zip 委员会(s):JC-15 |
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单芯片和多芯片,单pn结和多pn结发光二极管(led)热测量方法综述 |
JESD51-50A | 2022年11月 |
本文档概述了对构建在单个或多个芯片上的高功率发光二极管(led)进行有意义的热测量所必需的方法,每个芯片具有一个或多个pn结。实际的方法组件包含在单独的详细文档中。 委员会(s):JC-15 |
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电子热系统水平模型的ECXML指南。XML要求 |
JEP181 | 2020年9月 |
本标准规定了供应商和最终用户之间以单一中性文件格式交换电子热系统水平仿真模型的要求。数据以符合本文档描述的XML模式的XML格式保存。 委员会(s):JC-15 |
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电子热系统水平模型的ECXML指南。XML要求模式 |
JEP181_Schema_R1p0 | 2020年9月 |
与JEP181结合使用的是整个“XML需求模式”,以供用户支持。 委员会(s):JC-15 |