微电子工业全球标准
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标题 | 文档# | 日期 |
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带ttl兼容控制输入的5v总线开关描述: |
JESD73 | 1999年6月 |
本标准涵盖了具有5v TTL兼容控制输入的5v NMOS FET总线开关设备系列的规格。本文档中不包括设备特定参数和性能级别,供应商还必须申请完整的设备描述。 委员会(s):JC-40 |
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3.3 v fet总线开关设备描述标准: |
JESD73-1 | 2001年8月 |
本标准涵盖3.3 V NMOS FET总线开关设备系列的规格。本文档中不包括设备特定参数和性能级别,供应商还必须提供完整的设备描述。本文档的目的是为总线开关设备的描述提供一套统一的数据表参数。本标准包括总线开关设备数据表描述所需的参数、试验条件、试验等级和测量方法。 委员会(s):JC-40 |
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带集成电荷泵的3.3 v fet总线开关设备的描述标准: |
JESD73-2 | 2001年8月 |
本标准涵盖带有集成电荷泵的3.3 V NMOS FET总线开关设备系列的规格。本文档中不包括设备特定参数和性能级别,供应商还必须提供完整的设备描述。本标准的目的是为总线开关设备的描述提供一套统一的数据表参数。本标准包括总线开关设备数据表描述所需的参数、试验条件、试验等级和测量方法。 委员会(s):JC-40 |
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标准描述3877 - 2.5 v,双5位,2端口,DDR场效应晶体管开关: |
JESD73-4 | 2001年11月 |
该标准提供了一组统一的数据表参数,用于描述DDR内存模块和主板应用的双5位2.5 V FET传输门总线开关设备。该总线开关设备具有低的ON电阻,允许输入直接连接到输出,具有接近零的传播延迟。 |
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标准描述3867 - 2.5 v,单10位,2端口,DDR场效应晶体管开关: |
JESD73-3 | 2001年11月 |
该标准提供了一组统一的数据表参数,用于描述用于DDR内存模块和主板应用的单个10位2.5 V FET传输门总线开关设备。该总线开关设备具有低的ON电阻,允许输入直接连接到输出,具有接近零的传播延迟。 |